Блин, Саш, MOSFET=полевик. Прими как данность. IGBT - биполярный, в базе которого стоит полевик (утрировано). Названия выводов происходят из принципа работы. Да нахер этот ликбез - сам посмотришь выводы, если надо. "Владение терминологией - показатель уровня специалиста". (с) Туполев.
По твоей схеме. Низкий уровень напряжения на транзисторе соответствует его открытому состоянию, напряжение на открытом канале равно Uпит-Uсол, где Uсол - падение напряжения на соленоиде, I*Rсол. Закрываешь транзистор, напряжение на нем начинает расти, запасенная в магнитном поле соленоида энергия препятствует прекращению тока. Всплеск напряжения (упрощенно) - Ivdo*Rvdo. (ток диода открытого и сопротивление диода открытого). Ivdo зависит от индуктивности соленоида. Но это не запаздывание, это физика работы диода. Открытый диод таки имеет сопротивление.
Для удаления этих "плевков" транзисторы шунтируют снаббером. Считать его - я в своё время считал, да плюнул - не работают они так, как по расчету выходит. Подогнать оказалось быстрее. По формуле ищешь конденсатор, а резистор подгоняешь подстроечником, потом меряшь, заменешь постоянником.
__________________
Лучше износиться, чем моль сожрёт.
|